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元件参数资料
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参数目录33597
> MMBT3906LT3G TRANS PNP GP 40V 200MA SOT-23
型号:
MMBT3906LT3G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS PNP GP 40V 200MA SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MMBT3906LT3G PDF
产品变化通告
Wire Change 08/May/2007
标准包装
10,000
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 10mA,1V
功率 - 最大
225mW
频率 - 转换
250MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
带卷 (TR)
其它名称
MMBT3906LT3G-ND
MMBT3906LT3GOSTR
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